HOHAGE Schichttechnologie

Kernkompetenz

Die Kernkompetenz des Unternehmens ist die fundierte Kenntnis

• der thermischen und plasmaunterstützten CVD von Schichten mit den Komponenten Si, SiO2, SiN, SiCN, SiON, C, BN für Mikroelektronik, Mikrosystemtechnik, Photovoltaik und Spezialanwendungen
• der Herstellung von high-Stress-Schichten für die CMOS-Transistortechnologie (zur Steigerung der Ladungsträgerbeweglichkeit)
• der Herstellung verschleißmindernder, diamantähnlicher Schichten (DLC, cBN) mit PECVD- und PLD-Verfahren
• der Vergütung von Display-Gläsern mit PECVD-Schichten
• der in-situ Vorbehandlung metallischer und dielektrischer Oberflächen (Reinigung, Silizidierung, Passivierung)
• der Erzeugung hochzuverlässiger Kupfer-Dielektrikum-Interfaces
• des Stressengineerings von Schichtsystemen

Weitere Informationen finden Sie unter "Leistungsspektrum".