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HOHAGE Schichttechnologie


Publikationen

(jeweils Hauptautor)

Synthese von Bornitridschichten mittels gepulster Laserstrahlung (PLD) und Modellierung der Bildung des diamantähnlichen, kubischen Bornitrids:

Effect of stored elastic energy on phase content of ion assisted deposited boron nitride films,
J. Hohage, W. Pompe, Thin Solid Films, 515 (2006) 1767.


Entwicklung von Kupfer-Deckschicht-Interfaces mit hoher Zuverlässigkeit für hochintegrierte Schaltkreise:

A copper-dielectric cap interface with high resistance to electromigration for high performance semiconductor devices,
J. Hohage, M.U. Lehr, V. Kahlert, Microelectron. Eng. 86 (2009) 408.

Copper-dielectric cap interface with enhanced reliability for 45 nm technology and beyond,
J. Hohage, U. Mayer, M.U. Lehr, F. Feustel, O. Aubel, C. Hennesthal,
Microelectron. Eng. 87 (2010) 2119.

Kontakt


HOHAGE Schichttechnologie
Dr. Jörg Hohage
Niederwiese 12
DE-55595 Hargesheim

T 0671  4831 9417
M 0151  2422 6577
@ info@hohschicht.de